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北无仪半导体参数测试仪的产品列表,北无仪半导体参数测试仪的产品简介和技术参数。
200nA 0—199.9nA 0.1nA ±3%满度值±4个字
电流源Icc0-2A70--2uA0nAIbb0--500mA70--200nA100PA
可测试VGT,IGT,IH,VT(av),IT(av)VTM,ITM及断态反向等共17个参数
可测gm,Vp,Idss
可测量IN746~IN986系列,2CW,2DW,系列
测量范围:由5nS至500 nS.
频率:20KHZ 误差:正负5%
测试功率:0~750W(100V,5A或300V,2.5V)
测量对被测管施加1ms~1s的单次功率脉冲前后Vbe的变化
检测计量晶体管在规定条件下的直流
可测试0—750WN沟道及P沟道大功率MOS场效应管的瞬态热阻
可测试N沟道及P沟道大功率MOS场效应管的VGS(th)、RDS(on)及ID为0—10A时的跨导gm等主要技术参数
反向截止电流ICEO、ICBO、IEBO、ICES、ICER、ICEX测量范围及误差
测试二极管及任何二端器件
100-1000MHz200-2000MHz10-100MHz30-300MHz400-4000MHz