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IST MODEL 878可编程半导体参数测试仪,测试仪器网专业销售,提供IST MODEL 878可编程半导体参数测试仪产品简介,技术参数.

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产地:美国 厂商:美国IST 价格:面议

IST 878是一款高性价比的测试仪器,可对各种分立半导体器件进行在线或离线参数测试,包括:

 

• Bipolar Transistors三极管
• MOSFETs
• IGBTs
• Diodes二极管
• Zener Diodes齐纳二极管
• Junction FETs结型场效应管
• SCRs可控硅
• TRIAC双向可控硅
• Optoisolators光耦
• Voltage Regulators稳压器
• TVS (Varistors, SIDACs)瞬态抑制二极管(压敏电阻、保护晶闸管)

 

特点及优势

 

自动设置防错插设计

 

自动配置测试设置,允许刃缕咸丫┯槔殖33395夥较蚣芭帕胁迦氡徊馄骷R瞧骺梢宰远觳獗徊馄骷募浴⒐δ芎头较颍扌柙诓馐郧罢业秸返囊拧

 

全面的测量结果显示

 

通过或失败的LED指示灯快速显示测试结果状态。显示屏显示完整的测量值:参数数据,设备类型,器件分类,每个引脚的功能或极性。

 

漏电流检测

 

高灵敏度的电流测量可以检测损坏或老化的器件泄漏问题。

 

适合各种封装

 

提供多种测试头和转接适配器,适合各种直插式和表贴封装的半导体器件。

 

恒定电流吸收/电流偏置

 

恒流吸收用于作稳压器输出的负载,电流偏置用于测量二极管或齐纳二极管的电压,二者可互相切换。

 

指尖测试开关

 

带有指尖测试开关按钮的三点式探测装置使得在线PCB测试快速简单。

 

可编程电压源

 

可编程电源提供高达1099V电压,用于崩溃电压和漏电流测试。

 

包含常规的22种测试参数:

 

• Bipolar Transistors (Iceo, Ices, Icbo, BVceo, BVces, BVcbo)
• MOSFETs (Idss, Igss, BVdss)
• Diodes (Ir, BVr, Vf)
• Zener Diodes (Vz, Iz)
• Thyristor (Idrm, BVdrm)
• J-FET (Idss, Igss)
• Optoisolator (Iceo)
• Regulator (+/- Vo, +/- I load)
• I leakage*

 

* -测量刃缕咸丫┯槔殖33395饬蕉酥涞牡缪购偷缌鳎缪棺罡叽1,099V,电流可低至“nA”。通常用于测试瞬态电压抑制器的钳位电压(Vbr击穿电压),测量器件的输入阻抗(根据欧姆定律 R=V/I),或检测两点之间的泄漏电流(I leak)。

 

功能测试中的驱动条件

 

低驱动 Ic ≤ 10 mA
Ib ≤ 0.9 mA
高驱动 Ic ≤ 350 mA
Ib ≤ 75 mA
驱动脉冲 ≤ 300 us

 

恒定电流源

 

范围
1 3 mA 50 mA
2 10 mA 150 mA
3 30 mA 400 mA
4 35 mA 500 mA
5 40 mA 650 mA
6 50 mA 750 mA
7 70 mA 1000 mA

 

器件输出电平阈值

 

逻辑 离线 在线
11.0V 6.80V
1.18V 2.20V

 

二极管正向电压(Vf)测量MIN.Vf > 0.1 V,正向电流50 mA ~ 1000mA

 

齐纳二极管击穿电压(Vz)范围0.1V~30V,偏置电流3mA~80mA

 

稳压器输出电压(+/- Vo)范围:0.2 V~26.0 V,输出负载电流 50mA~1.0A

 

漏电流测量参数

 

BIPOLAR / MOSFET TRANSISTORS: Ices, Iceo, Icbo, & Idss DIODE: Ir THYRISTOR (SCR/TRIAC): Idrm

 

测量范围*

分辨率

精度

测试条件

0-400 nA

0.1 nA

± 2%

0-1,099 V 可编程

0-4 uA

1 nA

± 1%

0-1,099 V 可编程

0-40 uA

10 nA

± 1%

0-1,099 V 可编程

0-400 uA

100 nA

± 1%

0-1,099 V 可编程

0-4 mA

1 uA

± 1%

0-1,099 V 可编程

0-40 mA

10 uA

± 1%

不可用

 

MOSFET和J-FET泄漏电流测量

 

MOSFET: Igss J-FET: Idss, Igss

 

测量范围*

分辨率

精度

测试条件

0-400 nA

0.1 nA

± 2%

0-30 V 可编程

0-4 uA

1 nA

± 1%

0-30 V 可编程

0-40 uA

10 nA

± 1%

0-30 V 可编程

0-400 uA

100 nA

± 1%

0-30 V 可编程

0-4 mA

1 uA

± 1%

0-30 V 可编程

0-40 mA

10 uA

± 1%

0-30 V 可编程

 

* - 自动量程

 

击穿电压测量参数

 

BIPOLAR / MOSFET TRANSISTORS: BVceo, BVces, BVcbo, & VBdss
DIODE: BVr THYRISTOR: BVdrm

 

测量范围 分辨率 精度 测试条件
0-30 V 0.03 V ± 1% 0-40 mA 自动范围
30-1,099 V 1.05 V ± 1% 0-4 mA 自动范围

 

高压源:

 

最大输出电压:1,099 V
最大输出功率:3 W

 

随机配件:

 

•120 V或220 V交流电源适配器
•使用说明书
•三点探测装置,用于在线测试
•用于测试SMD封装的测试插座适配器

 

可选配件:

 

•三种颜色测试导线(带有小型插头和测试夹)
•光耦测试插座适配器
•生产测试用测试插座适配器

 

尺寸:9.2”宽×6.3”深×2.8”高(23.3厘米×16厘米×7.1厘米)

 

装运重量:7.5磅(3.4公斤)

 

电源适配器:

 

输入:120 VAC或220 VAC ±5% 50/60 Hz
输出:36 VAC与C.T. 最大800mA
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